參數(shù)資料
型號(hào): PN918
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: NPN RF Transistor
中文描述: VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù): 3/7頁
文件大?。?/td> 148K
代理商: PN918
DC Typical Characteristics
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0.1
1
5
I
V
= 20V
CB
C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
30
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
25 °C
β
= 10
- 40 °C
125 °C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 43
0.1
1
10
30
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
β
= 10
25 °C
- 40 °C
125 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P 43
0.1
1
10
20
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 5V
25 °C
- 40 °C
125 °C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
P 43
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
20
30
40
50
60
70
80
90
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
F
125 °C
25 °C
- 40 °C
Vce = 5V
NPN RF Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PN918 Small Signal Transistors
PN930 NPN General Purpose Amplifier
PNA1102L 光デバイス - 受光素子 - フォトトランジスタ
PNA1401 PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-5.5
PNA1401L PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-5.8
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PN918_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor
PN918_D74Z 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
PN918_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN918T93 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN930 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2