型號: | PNP3638 |
英文描述: | PNP SILICON TRANSISTORS |
中文描述: | 進(jìn)步黨硅晶體管 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 191K |
代理商: | PNP3638 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PN3638 | PNP SILICON TRANSISTORS |
PN3638A | PNP SILICON TRANSISTORS |
PNZ0102 | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.6 |
PNZ0106 | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 20M | CAN-4.6 |
PNZ0107 | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 900NM PEAK WAVELENGTH | 30M | CAN-4.6 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PNP3638A | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:PNP SILICON TRANSISTORS |
PNP3WVFTF73-120R | 制造商:Yageo Corporation 功能描述:RES 120 OHM 3W 1% AXIAL |
PNP3WVJR-73-0R1 | 功能描述:RES WW 0.1 OHM 3W 5% AXIAL RoHS:是 類別:電阻器 >> 通孔電阻器 系列:PNPV 產(chǎn)品目錄繪圖:CMF Series 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:CMF 電阻(歐姆):1.47M 功率(瓦特):0.5W,1/2W 復(fù)合體:金屬薄膜 特點:阻燃涂層 溫度系數(shù):±50ppm/°C 容差:±1% 封裝/外殼:軸向 尺寸/尺寸:0.090" 直徑 x 0.240" L(2.29mm x 6.10mm) 高度:- 端子數(shù):2 包裝:剪切帶 (CT) 產(chǎn)品目錄頁面:2279 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:CMF1.47MHFCT |
PNP3WVJR-73-0R12 | 功能描述:RES WW 0.12 OHM 3W 5% AXIAL RoHS:是 類別:電阻器 >> 通孔電阻器 系列:PNPV 產(chǎn)品變化通告:Global Part Number Change 9/Aug/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 系列:RN 電阻(歐姆):44.8k 功率(瓦特):0.25W,1/4W 復(fù)合體:金屬薄膜 特點:阻燃涂層 溫度系數(shù):±50ppm/°C 容差:±0.25% 封裝/外殼:軸向 尺寸/尺寸:0.093" 直徑 x 0.250" L(2.35mm x 6.35mm) 高度:- 端子數(shù):2 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:RN 1/4 T2 44.8K 0.25% RRN1/4T244.8K0.25%RRN1/4T244.8K0.25%R-NDRN1/4T244.8KCRRN1/4T244.8KCR-ND |
PNP3WVJR-73-0R15 | 功能描述:RES WW 0.15 OHM 3W 5% AXIAL RoHS:是 類別:電阻器 >> 通孔電阻器 系列:PNPV 產(chǎn)品變化通告:Global Part Number Change 9/Aug/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 系列:RN 電阻(歐姆):44.8k 功率(瓦特):0.25W,1/4W 復(fù)合體:金屬薄膜 特點:阻燃涂層 溫度系數(shù):±50ppm/°C 容差:±0.25% 封裝/外殼:軸向 尺寸/尺寸:0.093" 直徑 x 0.250" L(2.35mm x 6.35mm) 高度:- 端子數(shù):2 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:RN 1/4 T2 44.8K 0.25% RRN1/4T244.8K0.25%RRN1/4T244.8K0.25%R-NDRN1/4T244.8KCRRN1/4T244.8KCR-ND |