參數(shù)資料
型號(hào)： PNZ0154
英文描述： PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 20M | LED-7B
中文描述： 光電晶體管|叩| 800NM峰值波長(zhǎng)| 2000萬(wàn)|發(fā)光二極管- 7B條
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 43K
代理商： PNZ0154
2
Phototransistors
PNZ0102
P
C
— Ta
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
I
CE(L)
— V
CE
20
16
12
4
8
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Ta = 25C
T = 2856K
C
C
0
20
10
30
I
C
— V
CE
20
16
12
4
8
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Ta = 25C
C
C
0
20
10
30
I
CE(L)
— L
10
2
10
1
Illuminance L (lx)
C
C
10
10
2
10
3
10
–2
10
–1
1
V
= 10V
Ta = 25C
T = 2856K
I
CEO
— Ta
10
3
10
1
10
2
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
D
C
10
–1
– 40
0
40
80
120
t
r
— I
CE(L)
10
3
10
2
10
1
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
1
10
10
2
10
–1
10
–1
V
= 10V
Ta = 25C
Directivity characteristics
100
80
60
40
20
030
20
10
0
10
20
30
Angle
θ
(deg.)
R
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
400
600
800
1000
0
200
Ta = 25C
I
CE(L)
— Ta
10
2
10
Ambient temperature Ta (C )
V
= 10V
T = 2856K
C
C
1
– 40
0
40
80
120
P
C
= 150mW
L = 50 lx
100 lx
150 lx
200 lx
300 lx
400 lx
500 lx
1000 lx
P
C
= 150mW
I
B
= 5
μ
A
10
μ
A
15
μ
A
20
μ
A
25
μ
A
30
μ
A
R
L
= 1k
500
100
L = 500 lx
200 lx
100 lx
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PNZ0155 PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 10M | LED-7C
PNZ0158 PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 20M | LED-7B
PNZ108F(PN108F) Opto-Electronic Device - Photo Detectors - Phototransistors
PNZ109CL(PN109CL) 光デバイス － 受光素子 － フォトトランジスタ
PNZ109F(PN109F) PNZ109F (PN109F) - Silicon NPN Phototransistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PNZ0155 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 10M | LED-7C
PNZ0158 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 20M | LED-7B
PNZ0300 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PIN Photodiodes
PNZ0334 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:PIN Photodiode For optical fiber communication systems
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