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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PNZ102(PN102) |
| 英文描述： | PNZ102 (PN102) - Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | PNZ102（PN102） -硅npn型光電晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 343K |
| 代理商： | PNZ102(PN102) |
2
PNZ107F, PNZ108F
Phototransistors
Electro-Optical Characteristics
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
I
CEO
I
CE(L)
λ
P
θ
t
r*2
t
f*2
V
CE(sat)
Conditions
min
typ
0.05
max
2
4
Unit
μ
A
mA
nm
deg.
μ
s
μ
s
V
Dark current
Collector photo current
Peak sensitivity wavelength
Acceptance half angle
Rise time
Fall time
Collector saturation voltage
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V, L = 100 lx
*1
V
CE
= 10V
Measured from the optical axis to the half power point
V
CC
= 10V, I
CE(L)
= 5mA
R
L
= 100
I
CE(L)
= 1mA, L = 1000 lx
*1
0.4
900
40
8
9
0.3
0.6
*1
Measurements were made using a tungsten lamp (color temperature T = 2856K) as a light source.
*2
Switching time measurement circuit
P
C
— Ta
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
I
CE(L)
— V
CE
12
10
8
4
2
6
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
20
16
8
12
4
24
Ta = 25C
T = 2856K
I
CE(L)
— L
10
2
10
1
Illuminance L (lx)
C
C
10
10
2
10
3
10
–2
10
–1
1
V
= 10V
Ta = 25C
T = 2856K
50 lx
10 lx
L =
1500 lx
1000 lx
900 lx
800 lx
100 lx
200 lx
300 lx
400 lx
500 lx
600 lx
700 lx
50
R
L
t
d
: Delay time
t
r
: Rise time (Time required for the collector photo current to
increase from 10% to 90% of its final value)
t
f
: Fall time (Time required for the collector photo current to
decrease from 90% to 10% of its initial value)
V
CC
Sig.OUT
Sig.IN
(Input pulse)
(Output pulse)
10%
90%
t
d
t
r
t
f
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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