參數(shù)資料
型號： PNZ108(PN108)
英文描述： Opto-Electronic Device - Photo Detectors - Phototransistors
中文描述： 光電子器件-攝影探測器-光敏
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 343K
代理商： PNZ108(PN108)
3
Phototransistors
PNZ107F, PNZ108F
I
CEO
— Ta
10
2
10
–1
10
10
–2
1
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
D
C
μ
A
10
–3
– 20
0
40
80
20
60
100
C
C
I
CE(L)
— Ta
10
1
Ambient temperature Ta (C )
V
= 10V
L = 100 lx
T = 2856K
– 40
0
40
80
120
10
–1
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
400
600
800
1000
1200
0
200
V
= 10V
Ta = 25C
t
r
— I
CE(L)
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
V
= 10V
Ta = 25C
10
4
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
–1
10
10
2
1
10
–2
t
f
— I
CE(L)
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
F
f
μ
s
V
= 10V
Ta = 25C
10
4
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
–1
10
10
2
1
10
–2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Directivity characteristics
20
90
100
80
70
60
50
40
30
R
R
L
= 1k
500
100
R
L
= 1k
500
100
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