參數(shù)資料
型號(hào)： PNZ120SSL
英文描述： PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 20M | DOME-3.0
中文描述： 光電晶體管|叩| 800NM峰值波長(zhǎng)| 2000萬(wàn)|穹頂- 3.0
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 355K
代理商： PNZ120SSL
2
Phototransistors
PNZ120S
P
C
— Ta
60
50
40
30
20
10
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
I
CE(L)
— V
CE
10
8
6
2
4
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
8
16
24
32
Ta = 25C
T = 2856K
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
400
600
800
1000
1200
0
200
V
= 10V
Ta = 25C
V
= 10V
T = 2856K
I
CE(L)
— Ta
10
2
1
10
–1
10
–2
10
Ambient temperature Ta (C )
Ambient temperature Ta (C )
C
C
– 20
0
40
80
20
60
100
10
–3
– 20
0
40
80
20
60
100
I
CEO
— Ta
10
4
1
10
–1
10
2
10
10
3
V
CE
= 10V
D
C
10
–2
t
r
— I
CE(L)
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
V
= 10V
Ta = 25C
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
–1
10
10
2
1
10
–2
10
–2
t
f
— I
CE(L)
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
F
f
μ
s
V
= 10V
Ta = 25C
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
–1
10
10
2
1
10
–2
10
–2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Directivity characteristics
I
CE(L)
— L
10
1
10
–1
10
–2
Illuminance L (lx)
C
C
10
10
2
10
3
10
–3
1
V
= 10V
Ta = 25C
T = 2856K
20
90
100
80
70
60
50
40
30
R
R
L
= 1k
500
100
R
L
= 1k
500
100
L = 500 lx
2 lx
900 lx
800 lx
700 lx
600 lx
500 lx
400 lx
300 lx
200 lx
100 lx
1000 lx
1200 lx
L =1500 lx
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PDF描述
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