ST
16
STD12NF06LT4
貼片
面接觸型
TO-252
其他
金屬封裝
小功率
12
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典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 20 ns |
典型接通延遲時(shí)間 | 10 ns |
典型柵極電荷@Vgs | 7.5 nC V @ 5 |
典型輸入電容值@Vds | 350 pF V @ 25 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
寬度 | 6.2mm |
封裝類型 | DPAK |
尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
引腳數(shù)目 | 3 |
最低工作溫度 | -55 °C |
最大功率耗散 | 30000 mW |
最大柵源電壓 | ±16 V |
最大漏源電壓 | 60 V |
最大漏源電阻值 | 0.1 Ω |
最大連續(xù)漏極電流 | 12 A |
最高工作溫度 | +175 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
類別 | 功率 MOSFET |
通道模式 | 增強(qiáng) |
通道類型 | N |
配置 | 單 |
長(zhǎng)度 | 6.6mm |
高度 | 2.4mm |
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