制造商: STMICroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 22.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 25 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 9.3 mm
長(zhǎng)度: 10.4 mm
系列: STP4NK80ZFP
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.6 mm
商標(biāo): STMicroelectronics
正向跨導(dǎo) - 最小值: 2.9 S
下降時(shí)間: 32 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 12 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 35 ns
典型接通延遲時(shí)間: 13 ns
單位重量: 330 mg