IGBT突波吸收電容
雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計和端面噴金技術(shù),使電容具低感抗,
多條引線設(shè)計,可承受更高紋波電流,高du/dv以及高過壓能力。
用于各類IGBT緩沖線路突波吸收,各類高頻諧振線路
材料特性
電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜,內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)
封裝: 阻燃塑膠外殼,環(huán)氧樹脂封裝,符合(UL94V-0 )標準.
尺寸: 適合于各種IGBT保護 。(可按客戶需求定制特殊規(guī)格)
電氣特性
電容量: 0.0047 to 6.8μF,參考表格數(shù)據(jù)
額定電壓: 700 to 3000 Vdc
損耗角正切:
Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4
絕緣電阻: 3000s,s= MΩ. μF
耐電壓: 2Ur (DC)
工作溫度: -40~+
以上產(chǎn)品全新原裝進口,有現(xiàn)貨,直接代理商,有價格優(yōu)勢
深圳市嘉林電子有限公司
電話:0755-82429076/13502822457
聯(lián)系人:林子 (先生)
QQ:
郵箱:jialin_lgq@163.com
地址:深圳市羅湖區(qū)寶崗路梅園新村8棟502
100%產(chǎn)品查看率
會員等級
會員年限