供應(yīng)IXFR200N10P全新現(xiàn)貨IXYS代理IXFR200N10P功率MOSFET

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IXFR200N10P全新現(xiàn)貨IXYS代理IXFR200N10P功率MOSFET 最新批號(hào)

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IXFR200N10P全新現(xiàn)貨IXYS代理IXFR200N10P功率MOSFET 封裝DIP

部分編號(hào):IXFR200N10P
描述:極地?HiPerFETs(150V的至300V)與減少的Rds(上)
配置:單
包裝風(fēng)格:ISOPLUS247?
狀態(tài):部分
支持文檔:數(shù)據(jù)表 

Parameter   IXFR200N10P  
VDSS, max, (V)   100  
ID(cont), TC=25°C, (A)   133  
RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm)   0.009  
Ciss, typ, (pF)   7600  
Qg, typ, (nC)   235  
trr, typ, (ns)     
trr, max, (ns)   150  
PD, (W)   300  
RthJC, max, (°C/W)   0.5  


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