屏蔽電源變壓器
單相變壓器
coilcraft
PWB1015LD
高頻
E型
液浸/油浸式
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在器件應(yīng)用時除了要考慮器件的電壓、電流、頻率外,還必須掌握在應(yīng)用中如何保護器件,不使器件在瞬態(tài)變化中受損害。當然晶閘管是兩個雙極型晶體管的組合,又加上因大面積帶來的大電容,所以其dv/dt能力是較為脆弱的。對di/dt來說,它還存在一個導通區(qū)的擴展問題,所以也帶來相當嚴格的限制。
功率MOSFET的情況有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每納秒(而不是每微秒)的能力來估量。但盡管如此,它也存在動態(tài)性能的限制。這些我們可以從功率MOSFET的基本結(jié)構(gòu)來予以理解。
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圖4是功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和其相應(yīng)的等效電路。除了器件的幾乎每一部分存在電容以外,還必須考慮MOSFET還并聯(lián)著一個二極管。同時從某個角度看、它還存在一個寄生晶體管。(就像IGBT也寄生著一個晶閘管一樣)。這幾個方面,是研究MOSFET動態(tài)特性很重要的因素。
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