供應THB6064H驅動芯片

THB6064H 大功率、高細分兩相混合式步進電機芯片式驅動器

THB6064H是大功率、高細分兩相混合式步進電機驅動芯片，外圍電路簡單、工作可靠、使用方便。

一、特性
● 雙全橋 MOSFET 驅動，低導通電阻 Ron = 0.4 Ω（上橋+下橋）
● 高耐壓 50VDC，大電流 4.5A（峰值）
● 多細分可選（1/2，1/8，1/10，1/16，1/20，1/32，1/40，1/64）
● 自動半流鎖定
● 衰減方式連續(xù)可調
● 內置溫度保護及過流保護

二、框圖

三、管腳說明

四、電器參數
最高額定值 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

正常運行參數范圍 Operating Range (Ta = -30 to 85°C)

電器特性 ElectrICal Characteristics (Ta = 25°C, VDD = 5 V, VM = 24 V )

輸出參數 Output BLOCK

五、使用說明
1．M1、M2、M3可選擇八種不同細分狀態(tài)

2．PFD：為衰減方式控制端，調節(jié)此端電壓可以選擇不同的衰減方式，從而獲得更好的驅動效果：

3．Vref：電流設定端，調整此端電壓即可設定驅動電流值
Io（100%）=Vref *（1/3）*（1/Rs）
Vref取值范圍：0.5V—3.0V
【Rs為檢測電阻】 推薦值為0.25Ω/2W

4．Down：半流鎖定控制，電機鎖定時降低功耗的功能（參見原理圖）
當CLK小于1.5Hz時，DOWN輸出為0；
當CLK大于1.5Hz時，DOWN輸出為1；
DOWN常態(tài)為1此時Vref電壓由R1和R2分壓決定形成設定電流，當啟動半流鎖定功能時，DOWN=0，Rdown參與R1、R2分壓，從而降低了Vref,也就減小了設定電流，Rdown的阻值決定電流下降的幅度。從而降低了VREF，也就減少了設定電流R1的阻值決定電流下降的幅度。

即：改變鎖定電阻Rdown的阻值，可獲得不同的鎖定電流值。

9. ENABLE：使能端（參見表一）
為0時，芯片輸出為0

六、參考電路圖

重量：9.86