STGWT30V60DF
ST
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TO-3P
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型號:STGWT30V60DF
品牌:STMICroelectronics
封裝:Tube
描述:IGBT 晶體管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
產(chǎn)品詳情
配置: | Single |
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: | 600 V |
集電極—射極飽和電壓: | 2.35 V |
柵極/發(fā)射極最大電壓: | 20 V |
在25 C的連續(xù)集電極電流: | 60 A |
柵極—射極漏泄電流: | 250 nA |
功率耗散: | 258 W |
最大工作溫度: | + 175 C |
封裝 / 箱體: | TO-3P |
封裝: | Tube |
商標(biāo): | STMicroelectronics |
最小工作溫度: | - 55 C |
安裝風(fēng)格: | Through Hole |
系列: | STGWT30V60DF |
工廠包裝數(shù)量: | 30 |
深圳市睿宇兆恒科技有限公司
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