KODENSHI
SGTN15C120HW
TO-247
1200V
15A
電源
結(jié)型場效應(yīng)管
N溝道
耗盡型
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SGTN15C120HW 韓國光電子AUK最新推出15N120(15A,1200V.TO-247)電磁爐專用IGBT
SGTN15C120HW 1200V, 15A IGBT
超高性價比,可完美替代英飛凌 仙童 東芝 IXYS!
SGTN15C120HW替代FGA15N120ANDTU
SGTN15C120HW替代IKW15N120T2
SGTN15C120HW替代IHW15N120R2
SGTN15C120HW替代IHW15N120R3
SGTN15C120HW替代SKW15N120
SGTN15C120HW替代SGW15N120
SGTN15C120HW替代IKW15N120T2
SGTN15C120HW替代G15N120
SGTN15C120HW替代IXGH15N120BD1
SGTN15C120HW替代G15N120RUFD
SGTN15C120HW替代IXSH15N120B
SGTN15C120HW產(chǎn)品特點
?低柵極電荷
?現(xiàn)場SOTP技術(shù)
?低飽和電壓:
VCE(sat) = 1.8V (@ IC = 15A, TC = 25?C)
SGTN15C120HW產(chǎn)品應(yīng)用
?通用變頻器
?感應(yīng)加熱(IH)
SJMN07S60FD(7A,600V,TO-220F)AUK最新推出CoolMOS
(7A,600V,TO-220F) N-Channel Super Junction MOSFET
SJMN07S60F/7N60 COMOS場效應(yīng)管
SJMN07S60F產(chǎn)品特點
1.漏源電壓VDSS=600V
2.低漏源導(dǎo)通電阻:R DS(ON)=0.32Ω(典型值)
3.低輸入電容和柵極電荷
4.符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)裝置
5. 100%雪崩測試
?100%雪崩測試
SJMN20S60FD(20A,600V,20N60)AUK最新推出CoolMOS
光電子COOLMOS SJMN20S60FD替代SPA20N60C3
N-Channel Super Junction MOSFET
SJMN20S60FD產(chǎn)品特點
?漏源電壓VDSS=600V
?低漏源導(dǎo)通電阻:R DS(ON)=0.155Ω(典型值)
?低輸入電容和柵極電荷
?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)裝置
?100%雪崩測試
SJMN1160FD(11A,600,11N60)AUK最新推出CoolMOS
AUK COOLMOS管SJMN1160FD替代SPA11N60C3
N-Channel Super Junction MOSFET
SJMN1160FD產(chǎn)品特點
1.漏源電壓VDSS=600V
2.低漏源導(dǎo)通電阻:R DS(ON)=0.32Ω(典型值)
3.低輸入電容和柵極電荷
4.符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)裝置
5. 100%雪崩測試
電話:0755-83254770
聯(lián)系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級代理 (女士)
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地址:深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層
100%產(chǎn)品查看率
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