SI士蘭微原裝2A 600V MOS管SVD2N60M/MJ/F/T/D SVD2N60

品牌：
SILAN
型號：
SVD2N60M
用途：
DC/直流
類型：
絕緣柵型場效應管
溝道類型：
N溝道
導電方式：
增強型

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相關產(chǎn)品

產(chǎn)品信息

2A、600V N溝道增強型場效應管
描述
SVD2N60M/MJ/F/T/D N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子的S-RinTM平面高壓VDMOS 工藝技術制造。先進的工藝及條狀的原胞設計結構使得該產(chǎn)品具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應用于AC-DC開關電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達驅(qū)動。
特點
? 2A，600V，RDS(on)(典型值)=4.0Ω@VGS=10V
? 低柵極電荷量
? 低反向傳輸電容
? 開關速度快
? 提升了dv/dt 能力

極限參數(shù)(除非特殊說明，TC=25°C)
參數(shù)范圍
參數(shù) 名稱
符號
SVD2N60M/D
SVD2N60MJ
SVD2N60T
SVD2N60F
單位
漏源電壓
VDS
600
V
柵源電壓
VGS
±30
V
TC=25°C
2.0
漏極電流
TC=100°C
ID
1.3
A
漏極沖擊電流
IDM
8.0
A
34
35
44
23
W
耗散功率(TC=25°C)
- 大于25°C每攝氏度減少
PD
0.27
0.28
0.35
0.18
W/°C
單脈沖雪崩能量(注 1)
EAS
118
mJ
工作結溫范圍
TJ
-55～+150
°C
貯存溫度范圍
Tstg
-55～+150
°C
熱阻特性
參數(shù)范圍
參數(shù) 名稱
符號
SVD2N60M/D
SVD2N60MJ
SVD2N60T
SVD2N60F
單位
芯片對管殼熱阻
RθJC
3.7
3.57
2.86
5.56
°C/W
芯片對環(huán)境的熱阻
RθJA
110
110
62.5
120
°C/W

公司介紹

我司香港總部創(chuàng)立于1991年，旗下在昆山、廣州、深圳、上海、合肥、成都等地均有分公司。專業(yè)代理分銷世界各國正品原裝集成電路、單片機、二極管、三極管、橋堆、MOS管、光耦、可控硅，并為客戶提供相應技術支持、產(chǎn)品研發(fā)、售前及售后服務。經(jīng)銷代理品牌有：ST、FAIRCHILD、MICROCHIP、SHARP、TI、ST先科、長電、UTC、億光、XLSEMI、BCD、揚杰YJ、FMS、SILAN、TOSHIBA、NS、ON、IR、ATMEL、JRC、VISHAY、PHILIPS、PTC、HITACHI、HOLTEK等。