ON Semiconductor FGY60T120SQDN 1200V 60A超級場終止型IGBT

  • 品牌:

    ON

  • 型號:

    FGY60T120SQDN

  • 封裝形式:

    TO-247-3

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產(chǎn)品信息

 安森美半導(dǎo)體FGY60T120SQDN 1200V 60A超級場終止型IGBT(絕緣柵極雙極晶體管)采用堅固的高性價比超級場終止型溝槽結(jié)構(gòu)。FGY60T120SQDN在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和極低的開關(guān)損耗。FGY60T120SQDN還設(shè)有集成式快速軟恢復(fù)續(xù)流二極管,正向電壓低,可實現(xiàn)快速恢復(fù)。

FGY60T120SQDN
制造商: ON SemIConductor 
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管   
封裝 / 箱體: TO-247-3 
安裝風(fēng)格: Through Hole 
配置: Single 
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V 
集電極—射極飽和電壓: 1.7 V 
柵極/發(fā)射極最大電壓: 25 V 
在25 C的連續(xù)集電極電流: 120 A 
Pd-功率耗散: 517 W 
最小工作溫度: - 55 C 
最大工作溫度: + 175 C 
封裝: Tube 
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 120 A  
商標(biāo): ON Semiconductor  
柵極—射極漏泄電流: 200 nA  
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors  
工廠包裝數(shù)量: 450  
子類別: IGBTs

應(yīng)用于 太陽能逆變器、UPS
 
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公司介紹

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