安森美半導(dǎo)體FGY60T120SQDN 1200V 60A超級場終止型IGBT(絕緣柵極雙極晶體管)采用堅固的高性價比超級場終止型溝槽結(jié)構(gòu)。FGY60T120SQDN在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和極低的開關(guān)損耗。FGY60T120SQDN還設(shè)有集成式快速軟恢復(fù)續(xù)流二極管,正向電壓低,可實現(xiàn)快速恢復(fù)。
FGY60T120SQDN
制造商: ON SemIConductor
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 1.7 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: 25 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 120 A
Pd-功率耗散: 517 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
封裝: Tube
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 120 A
商標(biāo): ON Semiconductor
柵極—射極漏泄電流: 200 nA
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量: 450
子類別: IGBTs