供應(yīng)PN8126 PN8126F供應(yīng)CHIPOWN/芯朋微電源管理芯片實(shí)圖全新原裝有現(xiàn)貨

PN8126F是一顆超低待機(jī)功耗高效率交直流轉(zhuǎn)換芯片

PN8126F芯片內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，適用于小功率非隔離開關(guān)電源。該芯片提供了完整的智能化保護(hù)功能，包括過(guò)流保護(hù)，過(guò)壓保護(hù)，欠壓保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)；降頻調(diào)制技術(shù)有助于改善EMI特性。該芯片還內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)模塊，保證系統(tǒng)能迅速啟動(dòng)。應(yīng)用系統(tǒng)的外圍元件更加簡(jiǎn)潔。

PN8126特征 ：
優(yōu)化適用于18V輸出非隔離應(yīng)用
滿足85~265V寬AC輸入工作電壓
改善EMI的降頻調(diào)制技術(shù)
內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路
開放式輸出功率 >8W @230VAC
優(yōu)異的負(fù)載調(diào)整率和工作效率

全面的保護(hù)功能
過(guò)流保護(hù)（OCP）
過(guò)溫保護(hù)（OTP）
過(guò)壓保護(hù)（OVP）

PN8126功能描述：

1. 啟動(dòng)
在啟動(dòng)階段，內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng)管提供1.2mA電流對(duì)外部VDD電容進(jìn)行充電。當(dāng)VDD電壓達(dá)到12.5V，芯片開始工作；高壓?jiǎn)?dòng)管停止對(duì)VDD電容充電。啟動(dòng)過(guò)程結(jié)束后，變壓器輔助繞組對(duì)VDD電容提供能量。
2. 輸出驅(qū)動(dòng)
PN8126F采用特有的驅(qū)動(dòng)技術(shù)。驅(qū)動(dòng)能力太弱會(huì)使得較高的開關(guān)損耗，驅(qū)動(dòng)太強(qiáng)則容易出現(xiàn)EMI問(wèn)題。PN8126F采用優(yōu)化的圖騰柱結(jié)構(gòu)，通過(guò)合理的輸出驅(qū)動(dòng)能力以及死區(qū)時(shí)間，得到較好的EMI特性和較低的損耗。
3. 振蕩器
PN8126F的最大振蕩頻率為60 kHz，無(wú)需外圍電路進(jìn)行設(shè)置。它含有特有的頻率抖動(dòng)技術(shù)，可以改善EMI特性。
4. 內(nèi)置誤差放大器
PN8126F片內(nèi)誤差放大器可實(shí)現(xiàn)輸出電壓調(diào)制。通過(guò)內(nèi)部電阻分壓器，利用誤差放大器檢測(cè)VDD電位可實(shí)現(xiàn)輸出電壓調(diào)制。
5. PFM工作模式
PN8126F工作在PFM模式以減小輕載功耗。當(dāng)負(fù)載減輕，頻率降低，較低的開關(guān)頻率有利于降低開關(guān)損耗。
6. 輸出恒壓調(diào)制
PN8126F提供負(fù)載補(bǔ)償功能，可實(shí)現(xiàn)良好的負(fù)載調(diào)制。
7. 過(guò)溫保護(hù)
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制電路更易于檢測(cè)MOSFET的溫度。當(dāng)溫度超過(guò)160℃，芯片進(jìn)入過(guò)溫保護(hù)狀態(tài)。

公司簡(jiǎn)介：

深圳市博森偉業(yè)電子

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