芯片NTD5867NL-1G到貨！

數(shù)據(jù)列表 NTD5867NL
 
產(chǎn)品相片 DPAK_369D?01
 
PCN 過時(shí)產(chǎn)品/ EOL Multiple DevICes 05/Apr/2014
 
標(biāo)準(zhǔn)包裝   75
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 
家庭 FET - 單 
系列 -
包裝   管件  
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 20A（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 39 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg） 15nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss） 675pF @ 25V
功率 - 最大值 36W
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應(yīng)商器件封裝 I-Pak
其它名稱 NTD5867NL-1G-ND
NTD5867NL-1GOS
NTD5867NL1G
 

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