8位微處理器設(shè)計(jì)和低功耗和高速CMOS技術(shù)開發(fā)。該器件具有一個(gè)片上2K?13位一次性可編程只讀存儲(chǔ)器(OTP-ROM)。它提供了一個(gè)保護(hù)位,以防止用戶的OTP存儲(chǔ)器的代碼的侵?jǐn)_。三個(gè)代碼選項(xiàng)位可滿足用戶的要求。
具有增強(qiáng)的OTP-ROM特性,EM78P372N提供了開發(fā)和驗(yàn)證用戶的程序的一個(gè)方便的方法。此外,該OTP設(shè)備提供了簡(jiǎn)單而有效的程序更新的優(yōu)勢(shì),利用開發(fā)和編程工具。用戶可以使用義隆燒錄器容易的燒寫自己的開發(fā)代碼的。
產(chǎn)品特點(diǎn)
CPU配置
2Kx13位片上ROM
80x8位片內(nèi)寄存器(SRAM)
8級(jí)堆棧。
4級(jí)可編程電壓檢測(cè)(LVD):4.5V,4.0V,3.3V,2.2V
3級(jí)可編程電壓復(fù)位(LVR):4.0V,3.5V,2.7V
小于1.5 mA在5V/4 MHz的
典型值15μA在3V/32kHz的
通常情況下2μA,在休眠模式
I / O端口配置
3雙向I / O端口:P5,P6,P7
18個(gè)I / O引腳&1I針
喚醒端口:P5
8個(gè)可編程下拉I/ O引腳
16個(gè)可編程上拉I/ O引腳
8個(gè)可編程漏極開路I / O引腳
14個(gè)可編程高灌電流I/ O引腳
外部中斷:P60
工作電壓和溫度范圍:
2.1V?5.5V,在0°C?70°C(商用)
2.3V?5.5V在-40°C?85°C(工業(yè)級(jí))
經(jīng)營模式:
晶振模式:
DC?16兆赫,4.5V;
DC?8MHz的,3V; DC?4兆赫,2.1V
ERC模式:
DC?2兆赫,2.1V;
IRC模式:
振蕩方式:16兆赫,4兆赫,1兆赫,8 MHz的
內(nèi)部RC頻率漂移率
溫度(-40°C?85°C)電壓(2.1V?5.5V)的總過程
4 MHz的±2%±1%±2%,±5%
16兆赫±2%±1%±2%±5%
8兆赫±2%±1%±2%±5%
1千赫±2%,±1%,±2%,±5%
振蕩方式:
快速建立時(shí)間僅需要為0.8ms(VDD:15PF5V晶振:4 MHz時(shí),C1/C2)在XT模式和10?S IN IRC模式(VDD:5V,IRC:4 MHz時(shí))
八個(gè)中斷源:三個(gè)外部和內(nèi)部五:
TCC溢出中斷
輸入端口的狀態(tài)變化中斷(從睡眠模式喚醒)
外部中斷
ADC轉(zhuǎn)換結(jié)束中斷
比較器的狀態(tài)變化中斷
低電壓檢測(cè)(LVD)中斷
PWM1?2周期匹配中斷
PWM1?2占空比匹配中斷
EM78P447 EM78P153 EM78P156