Fairchild/仙童
FQPF8N60C
TO220F
絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
N溝道
增強(qiáng)型
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FQPF8N60C , N溝道 MOSFET 晶體管, 7.5 A, Vds=600 V, 3針
TO-220F封裝
Fairchild
Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET
使用先進(jìn)的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能,包括電源、PFC(功率因數(shù)校正)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運(yùn)動(dòng)控制。
它們通過降低導(dǎo)通電阻
(RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗,并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進(jìn)的 QFET?
工藝技術(shù),F(xiàn)airchild 可提供比競(jìng)爭(zhēng)平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。
Fairchild
提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓(>250V)和低電壓(<250V)。
先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
Fairchild
MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 81 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 16.5 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 28 nC V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 965 pF V @ 25 | |
安裝類型 | 通孔 | |
寬度 | 4.7mm | |
封裝類型 | TO-220F | |
尺寸 | 10.16 x 4.7 x 9.19mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 48 W | |
最大柵源電壓 | ±30 V | |
最大漏源電壓 | 600 V | |
最大漏源電阻值 | 1.2 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 7.5 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 單 | |
長(zhǎng)度 | 10.16mm | |
高度 | 9.19mm |
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MOC3061, MOC3062, MOC3022, MOC3021
FGL40N120AN, FGA25N120AN, 5M0365R, 5M02659, 5L0380R,
FQP2N60C, FDPF2N60C, FQP2N60C, FDPF4N60C, FQP5N60C, FQPF5N60C, FDPF8N60C,
FQP8N60C, FQPF8N60C, FDPF10N60C, FQP10N60C, FDPF12N60C, FQPF12N60C,
FDS8938A, FDS4672A, FDS3590, FDS3580, FDS3572, FDS3570, FDS3512, FDS4953A, FDS4470, FDS4463, FDS4435A,
FDS4410, FDS4936, FDS4935A, FDS6679, FDS8928A, FDS9953A, FDS9945S, FDS9936A, FDS9934C, FDS9933A, FDS9926A,
FDS6612A, FDS9435A, FDS4559, FDS9431A, FDS9426A, FDS9412, FDS9400, FDS8974A, FDS8958, FDS8947A,FDS8945,
KSA13009, FJP13009H2,F(xiàn)JP13007H1, FJP13007H2, HSE13005H1, KSE13005H2, FJP3305H1, FJP3305H2, MJE3055T, MJE2955T, FJP5027R,
BU406TU, KSC2073等
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