IMP3211是一種半橋驅(qū)動芯片,內(nèi)部集成了兩個互相關(guān)聯(lián)的輸出通道,兩個輸出驅(qū)動信號邏輯相
反,用于驅(qū)動外部的高壓、高速功率MOSFET或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)從而實現(xiàn)半橋驅(qū)動。特別是內(nèi)部的高壓驅(qū)動通道,采用了電壓懸浮模式來驅(qū)動高電壓端的外部功率MOSFET,在工作當(dāng)中要承受的最高電壓達到600V。 輸出信號的頻率由IN管腳輸入的方波信號決定, 實現(xiàn)輸入輸出的一致性。兩個輸出驅(qū)動通道就像是能夠輸出很大電流脈沖的電流緩沖器,而由于兩個輸出通道之間有死區(qū)時間存在,可以保證兩路輸出驅(qū)動不會同時導(dǎo)通。
特性:
1、輸出級的高壓部分采用電壓懸浮的自舉 模式,最大的工作電壓可以達到600V
2、柵極驅(qū)動的電壓范圍10V~20V
3、兩個輸出驅(qū)動通道都有欠壓保護功能
4、信號輸入端接下拉
電阻,再接施密特
觸發(fā)器
5、兩個輸出通道相對于輸入的延時完全匹配
6、內(nèi)部死區(qū)時間設(shè)定
7、高電壓輸出端的邏輯和輸入信號相同
8、綠色無鉛產(chǎn)品
9, 采用DIP/SOP8封裝