DMG1012T-7
DIODES
SOT-523
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FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 630mA(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 400 毫歐 @ 600mA,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) .74nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±6V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 60.67pF @ 16V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 280mW(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-523
封裝/外殼 SOT-523
文檔
EDA / CAD 模型 Available In the Digi-Key KICad Library
HTML 規(guī)格書 DMG1012T
PCN 組件/產(chǎn)地 Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018
Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012
PCN 設(shè)計/規(guī)格 Bond Wire 11/Nov/2011
RoHS指令信息 Diodes RoHS 3 Cert
圖像和媒體
產(chǎn)品相片 SOT-523
電話:0755-83200050-83205202-15817287769
聯(lián)系人:李艷 (女士)
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