FQB3P50介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 QFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 2.7A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),85W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 4.9 歐姆 @ 1.35A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK(TO-263AB)
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
由于其響應(yīng)速度快,準(zhǔn)確性高,晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能,包括放大,開關(guān),穩(wěn)壓,信號調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨立包裝或在一個非常小的的區(qū)域,可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。