PT5619 在同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 90V 半橋柵極
驅(qū)動(dòng)器,特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET
和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)。芯片內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間和上下管直
通保護(hù),非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯
片工作在較低的
電源電壓而對(duì)功率管產(chǎn)生損害,芯片內(nèi)
部集成了欠壓鎖定電路來(lái)阻止該現(xiàn)象發(fā)生。先進(jìn)的高壓
BCD 制程和內(nèi)置共模噪聲消除技術(shù)使得高邊驅(qū)動(dòng)器在
高 dv/dt 噪聲環(huán)境能穩(wěn)定工作,并且使芯片具有寬范的
負(fù)瞬態(tài)電壓忍受能力。為了延長(zhǎng)電池的使用時(shí)間,可以
通過(guò)對(duì) ENB 引腳的控制使芯片能進(jìn)入到低消耗電流的
待機(jī)模式
屬性
內(nèi)部集成 90V 三相半橋高邊和低邊驅(qū)動(dòng)器
? 內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間
? 高邊和低邊驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置欠壓鎖定
? 兼容 3.3V, 5V,15V 三種邏輯電平
? ENB 引腳控制進(jìn)入到待機(jī)模式
? 驅(qū)動(dòng)器汲出/汲入電流: 1200mA/2000mA
? 死區(qū)時(shí)間:0.5μs(typ.)
? 優(yōu)秀 dv/dt 共模噪聲消除電路
? 具有負(fù)瞬態(tài)電壓忍受能力
? 低 di/dt 柵極驅(qū)動(dòng)特性,更好的 EMI 性能
? 工作溫度范圍:-40℃ 至 125℃
? 小尺寸封裝:TSSOP20L/24L, QFN24
應(yīng)用
? 電動(dòng)車,電動(dòng)工具應(yīng)用中三相馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
? 其他電池供電產(chǎn)品中馬達(dá)驅(qū)動(dòng)