特性
?組織為2048 x 8位
?高耐力100萬億(1014)讀/寫
?38年數(shù)據(jù)保留(@ + 75oC)
?NoDelay?寫道
?先進(jìn)的高鐵電的過程
非??斓拇型鈬涌? SPI
?20 MHz的頻率
?直接替代eepm硬件
?SPI模式0 & 3 (CPOL CPHA = 0, 0和1,1)
復(fù)雜的寫保護(hù)方案
?硬件保護(hù)
?軟件保護(hù)
低功耗
?2.7 - -3.6 v低電壓操作
?200?有功電流(1 MHz)
?3?(typ)。待機(jī)電流
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)配置
?工業(yè)溫度-40?C + 85?C
?有“綠色”/ RoHS SOIC和TDFN包
描述
FM25L16B是一個16千字節(jié)的非易失性內(nèi)存
采用先進(jìn)的鐵電工藝。一個
鐵電隨機(jī)存取存儲器簡稱F-RAM
非易失性,并像a一樣執(zhí)行讀寫操作
RAM。它提供38年的可靠數(shù)據(jù)保存
同時消除復(fù)雜性、開銷和
系統(tǒng)級可靠性問題造成的
EEPROM和其他非易失性存儲器。
FM25L16B在總線上執(zhí)行寫操作
速度。不產(chǎn)生寫入延遲。數(shù)據(jù)被寫入
每個字節(jié)之后的內(nèi)存數(shù)組
轉(zhuǎn)移到設(shè)備上下一個公交周期
無需數(shù)據(jù)輪詢即可開始。
FM25L16B能夠支持1014架
讀/寫周期,或一百萬倍以上的寫
比eepm周期。
這些能力使FM25L16B理想的
非易失性內(nèi)存應(yīng)用程序需要頻繁
或快速寫道。例子包括數(shù)據(jù)收集,
寫周期的數(shù)量可能是關(guān)鍵的,到
要求工業(yè)控制哪里長寫
EEPROM的時間會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
FM25L16B為用戶提供了實(shí)質(zhì)性的好處
串行EEPROM的硬件插槽
更換。FM25L16B使用高速
SPI總線,提高了高速寫
F-RAM技術(shù)的能力。設(shè)備
規(guī)格是保證超過一個工業(yè)
溫度范圍-40℃至+85℃。