供應(yīng)濕敏電容HS1101

獨特的電容單元設(shè)計， Humirel 濕度傳感器適用于那些批量大，要求成本低的場合。比如：家電，農(nóng)業(yè)大棚，辦公自動化及工控系統(tǒng)。還應(yīng)用于任何需要濕度補償?shù)膱龊稀?
   特點：
?  完全互換性
?  長期飽和后可迅速恢復(fù)
?  適用于有波峰焊的自動組裝線
?  高可靠性和長期穩(wěn)定性
?  專利固態(tài)多聚脂結(jié)構(gòu)
?  快速響應(yīng)

最大額定值：（ Ta=25 ℃）

參數(shù) 符號 數(shù)值 單位

濕度范圍 RH 0~100 %RH

工作溫度 Ta -40~100 ℃

儲存溫度 Tstg -40~125 ℃

供電電壓 Vs 10 Vac

焊接 @T=260 ℃ t 10 s

工作特性參數(shù)：（ Ta=25 ℃）；除非特殊說明，否則測試頻率為 10KHz ）

參數(shù)	符號 最小 典型 最大 單位
濕度測量范圍	RH 1 99 %RH
供電電壓	Vs 5 10 V
等效電容 @55%RH	C 177 180 183 pF
溫度系數(shù)	Tcc 0.04 pF/C
平均靈敏度（ 33%~-75%RH ）	△ C/%RH 0.34 pF/%RH
漏電流（ VCC=5V ）	Ix 1 nA
恢復(fù)時間（飽和 150 小時后）	Tr 10 s
響應(yīng)時間（ 33-76%RH ，靜止空氣 @63% ）	Ta 5 s
長期穩(wěn)定性	0.5 %RH.yr
濕度遲滯	± 1.5 %RH
濕度精度（ 10%~-90%RH ）	± 2 %RH

圖 2 HS1100/1101 典型響應(yīng)曲線

電容擬和曲線公式：
C(PF)=C@55%RH*(1.25*10 -7 *RH 3 -1.36*10 -5 *RH 2 +2.19*10 -3 *RH+9.0*10 -1 )
頻率影響：
參數(shù)表中，所有數(shù)據(jù)均在 10KHz 下取得。 HS1100/1101 可以工作在 5KHz 到 100KHz 之間，頻率對電容值的影響如下：
C@fKHz （ 1.027-1.01185*1n （ fKHz ））
極性：測量中，為得到更好的重復(fù)性，將管腳 2 接地。（管腳 2 在帽頭遠(yuǎn)端）
線行電壓輸出電路模塊圖：

Vout=Vcc*(0.00474*%RH+0.2345); 在 5-99%RH 之間10-60 ℃間的典型溫度系數(shù)： +0.1%RH/ ℃

頻率輸出電路

注釋：本電路是應(yīng)用 555 芯片的典型電路。相當(dāng)于可變電容的 HS1100/1101 接在 2 腳和6腳之間。7 腳用做 R4 的對地短路。

HS1100/1101 通過 R2 和 R4 充電至閥值電壓，約 0.67 Vcc ；然后通過 R2 放電至觸發(fā)端電壓，約 0.33 Vcc ，因 R4 已通過 7 腳對地短路了

充放電周期公式如下：

t High =c@%RH*(R2+R4)*ln2

t Low =c@%RH*R2*ln2

F=1/( t High +t Low )=( c@%RH*(R4+2*R2)* ln2)

Output duty cycle= t High* F=R2/( R4+2*R2)

為使輸出的循環(huán)周期接近 50% ， R4 應(yīng)比 R2 低的多， R3 是短路保護(hù)電阻。 555 必須是CMOS 型。

注釋： R1 用于平衡 HS1100/1101 的溫度系數(shù)，故， R1 必須象其他 R — C 時鐘電阻一樣，為 1% ，最大溫度系數(shù)為 100ppm 。因 555 型號不同， R1 和 R2 的阻值有所不同 , 參見下

表。

555type R1 R2

TLC555(Texas) 909 K? 576 K?

TS555(STM) 100nFcapacifor 523 K?

7555(Harris) 1732 K? 549 K?

LMC555(National) 1238 K? 562 K?

頻率輸出電路的典型值

(6660Hz,55%RH,25 ℃ )

RH	0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Frepuency	7351 7224 7100 6976 6853 6728 6600 6468 6330 6186 6033

TLC555(RH ：相對濕度單位 %RH ，頻率單位 Hz)

擬和曲線公式如下：

F mes(Hz) =F 55(Hz) (1.1038-1.9368*10 -3 *RH+3.0114*10 -6 *RH 2 -3.4403*10 -8 *RH 3 )

分布電容對測量誤差的影響：

MHS1100 封裝                      MHS1101 封裝

 

	Min(mm)	Max(mm)
A	9.70	10.20
B	5.70	6.20
C	0.40	0.60
D	12.00	14.00
E	0.40	0.50
G	45 ○ BCS
H	0.70	1.10
J	0.70	0.90
K	4.83	5.33

	Min(mm)	Max(mm)
A	9.00	9.30
B	8.00	8.50
C	3.50	3.90
D	12.00	14.00
E	0.40	0.50
G	45 ○ BCS
H	0.70	1.10
J	0.70	0.90
K	4.83	5.33
L	0.4BCS