參數(shù)資料
型號(hào)： PSD834F2V-70
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Speed Voltage Mode Pulse Width Modulator 8-PDIP -40 to 85
中文描述： Flash在系統(tǒng)可編程（ISP）的周邊8位MCU，5V的
文件頁數(shù)： 78/110頁
文件大小： 1737K
代理商： PSD834F2V-70
PSD813F2, PSD833F2, PSD834F2, PSD853F2, PSD854F2
78/110
Table 45. DC Characteristics (5V devices)
Note: 1. Reset (RESET) has hysteresis. V
IL1
is valid at or below 0.2V
CC
–0.1. V
IH1
is valid at or above 0.8V
CC
.
2. CSI deselected or internal Power-down mode is active.
3. PLD is in non-Turbo mode, and none of the inputs are switching.
4. Please see
Figure 35., page 72
for the PLD current calculation.
5. I
OUT
= 0mA
Symbol
Parameter
Test Condition
(in addition to those in
Table 39., page 76
)
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
IH
Input High Voltage
4.5 V < V
CC
< 5.5 V
2
V
CC
+0.5
V
V
IL
Input Low Voltage
4.5 V < V
CC
< 5.5 V
–0.5
0.8
V
V
IH1
Reset High Level Input Voltage
(Note
1
)
0.8V
CC
V
CC
+0.5
V
V
IL1
Reset Low Level Input Voltage
(Note
1
)
–0.5
0.2V
CC
–0.1
V
V
HYS
Reset Pin Hysteresis
0.3
V
V
LKO
V
CC
(min) for Flash Erase and
Program
2.5
4.2
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 20μA, V
CC
= 4.5 V
0.01
0.1
V
I
OL
= 8mA, V
CC
= 4.5 V
0.25
0.45
V
V
OH
Output High Voltage Except
V
STBY
On
I
OH
= –20μA, V
CC
= 4.5 V
4.4
4.49
V
I
OH
= –2mA, V
CC
= 4.5 V
2.4
3.9
V
V
OH1
Output High Voltage V
STBY
On
I
OH1
= 1μA
V
STBY
– 0.8
V
V
STBY
SRAM Stand-by Voltage
2.0
V
CC
V
I
STBY
SRAM Stand-by Current
V
CC
= 0 V
0.5
1
μA
I
IDLE
Idle Current (V
STBY
input)
V
CC
> V
STBY
–0.1
0.1
μA
V
DF
SRAM Data Retention Voltage
Only on V
STBY
2
V
I
SB
Stand-by Supply Current
for Power-down Mode
CSI >V
CC
–0.3 V (Notes
2,3
)
50
200
μA
I
LI
Input Leakage Current
V
SS
< V
IN
< V
CC
–1
±0.1
1
μA
I
LO
Output Leakage Current
0.45 < V
OUT
< V
CC
–10
±5
10
μA
I
CC
(DC)
(Note
5
)
Operating
Supply
Current
PLD Only
PLD_TURBO = Off,
f = 0 MHz (Note
5
)
0
μA/PT
PLD_TURBO = On,
f = 0 MHz
400
700
μA/PT
Flash memory
During Flash memory
WRITE/Erase Only
15
30
mA
Read only, f = 0 MHz
0
0
mA
SRAM
f = 0 MHz
0
0
mA
I
CC
(AC)
(Note
5
)
PLD AC Adder
note
4
Flash memory AC Adder
2.5
3.5
mA/
MHz
SRAM AC Adder
1.5
3.0
mA/
MHz
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PDF描述
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PSD835G2-90U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90UI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-12UI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-90U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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