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參數(shù)資料
| 型號： | PT480 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | Narrow Acceptance Phototransistor |
| 中文描述： | 窄驗收光電晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | PT480 |
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Note A:
All Characteristic data in the above graphs has been developed from actual products tested at 25°C. This data is considered typical data for the ISR.
Note B:
SOA curves represent operating conditions at which internal components are at or below manufacturer’s maximum rated operating temperatures.
Typical Characteristics
PT4801
—
48V
25-W Triple Output Isolated DC/DC
Converter for DSL Applications
PT4801 Characteristic Data
(See Note A)
Efficiency vs Output Current
Power Dissipation vs Output Current
Ripple vs Output Current; @V
in
=48V
Load Regulation vs Output Current; V
o
1 =+15V
Load Regulation vs Output Current; V
o
2 =+3.3V
Load Regulation vs Output Current; V
o
3 =+1.5V
PT4801 SOA vs Output Power
Safe Operating Area, V
in
=48V
(See Note B)
50
60
70
80
90
0
20
40
60
80
100
% Load (All Outputs)
E
36V
48V
75V
V
IN
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
% Load (All Outputs)
R
(+15V)
(1.5V)
(3.3V)
Output
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
% Load (All Outputs)
P
75V
48V
36V
V
IN
15.1
15.2
15.3
15.4
15.5
0
20
40
60
80
100
% Load (All 3 Outputs)
L
V
o
75
48
36
V
IN
3.28
3.288
3.296
3.304
3.312
3.32
0
20
40
60
80
100
% Load (All 3 Outputs)
L
V
o
36
48
75
V
IN
1.48
1.488
1.496
1.504
1.512
1.52
0
20
40
60
80
100
% Load (All 3 Outputs)
L
V
o
36
48
75
V
IN
20
30
40
50
60
70
80
90
0
5
10
15
20
25
Output Power (W)
A
400LFM
200LFM
120LFM
60LFM
Nat conv
Airflow
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PT480F | Narrow Acceptance Phototransistor |
| PT4841 | 15V/3.3V/1.5V 48V-Input 65 Watt Triple-Output DC/DC Converter |
| PT4841A | 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package; Similar to IRLI520N with Lead Free Packaging |
| PT4841C | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package; A IRF7456 with Standard Packaging |
| PT4841N | DC to DC Converter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PT4800 | 功能描述:PHOTO TRANS CLEAR LEN 800NM SIDE RoHS:否 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1mA 電流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向 |
| PT4800E0000F | 功能描述:光電晶體管 800nm 1.0mA RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| PT4800F | 功能描述:PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE RoHS:否 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1mA 電流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向 |
| PT4800FB | 功能描述:PHOTO TRANS BLACK LEN 860NM SIDE RoHS:否 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1mA 電流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向 |
| PT4800FBE00F | 功能描述:光電晶體管 PT4800F with Ic bin 0.15-0.38mA RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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