參數(shù)資料
型號： PTB20125
廠商： ERICSSON
英文描述： 100 Watts, 1.8-2.0 GHz PCN/PCS Power Transistor
中文描述： 100瓦，1.8-2.0 GHz的PCN / PCS的功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 235K
代理商： PTB20125
PTB 20125
2
e
Electrical Characteristics
(100% Tested)
Characteristic
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Breakdown Voltage C to E
V
BE
= 0 V, I
C
= 100 mA
V
(BR)CES
55
—
—
Volts
Breakdown Voltage E to B
I
C
= 0 A, I
E
= 20 mA
V
(BR)EBO
4.0
5.0
—
Volts
DC Current Gain
V
CE
= 10 V, I
C
= 1.5 A
h
FE
30
50
120
—
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Gain
(V
CC
= 26 Vdc, Pout = 40 W(PEP), I
CQ
= 2 x 100 mA, f = 2 GHz)
Collector Efficiency
(V
CC
= 26 Vdc, Pout = 100 W, I
CQ
= 2 x 100 mA, f = 2 GHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
CC
= 26 Vdc, Pout = 100 W(PEP), I
CQ
= 2 x 100 mA, f = 2 GHz
—at all phase angles)
G
pe
7.0
8.0
—
dB
η
C
40
45
—
%
Ψ
—
—
5:1
—
Typical Performance
Broadband Test Fixture Performance
0
1900
2
4
6
8
10
1925
1950
1975
2000
Frequency (MHz)
G
-10
-20
-30
40
50
60
V
CC
= 26 V
I
CQ
= 200 mA
Pout = 50 W
Gain (dB)
Return Loss (dB)
Efficiency (%)
E
R
-0
Output Power vs. Supply Voltage
70
80
90
100
110
120
130
140
22
23
24
25
26
27
Supply Voltage (Volts)
O
I
CQ
= 200 mA
f = 2000 MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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