參數(shù)資料
型號(hào)： PTB20167
廠商： ERICSSON
英文描述： 60 Watts, 850-960 MHz RF Power Transistor
中文描述： 60瓦，850-960 MHz射頻功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： PTB20167
PTB 20167
2
e
Z Source
Z Load
Electrical Characteristics
(100% Tested)
Characteristic
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Breakdown Voltage C to E
I
B
= 0 A, I
C
= 50 mA
V
(BR)CEO
30
—
—
Volts
Breakdown Voltage C to E
V
BE
= 0 V, I
C
= 50 mA
V
(BR)CES
55
—
—
Volts
Breakdown Voltage E to B
I
C
= 0 A, I
E
= 15 mA
V
(BR)EBO
4.0
—
—
Volts
DC Current Gain
V
CE
= 5 V, I
C
= 2.0 A
h
FE
20
—
100
—
Output Capacitance
V
CB
= 28 V, f = 1 MHz
C
ob
—
60
—
pF
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Common Base Power Gain
(V
CC
= 24 Vdc, Pout = 60 W, f = 905 MHz)
Collector Efficiency
(V
CC
= 24 Vdc, Pout = 60 W, f = 905 MHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
CC
= 24 Vdc, Pout = 60 W,
f = 905 MHz—all phase angles at frequency of test)
G
pb
7.0
7.9
—
dB
η
C
60
64
—
%
Ψ
—
—
5:1
—
Impedance Data
(data shown for fixed-tuned broadband circuit)
(V
CC
= 24 Vdc, Pout = 60 W)
Frequency
Z Source
Z Load
MHz
R
jX
R
jX
850
5.4
-3.6
5.8
-0.7
905
5.3
-2.4
6.2
0.6
960
5.2
-1.4
6.9
1.7
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PDF描述
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參數(shù)描述
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