參數(shù)資料
型號： PTL2012-F12NT
廠商： TOKO INC
元件分類： 通用定值電感
英文描述： 1 ELEMENT, 0.012 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 28K
代理商： PTL2012-F12NT
14
Meeting Your Needs
1.800.PIK.TOKO
1.847.297.0070
www.tokoam.com
Photolithographic Chip Inductors
TYPE
PTL2012F
Features
2% Inductance tolerance
Inductance Range: 1.0-82nH
Temperature Coefficient: +100ppm/
°C
Temperature Range: –40
°C to +100°C
SRF tolerance within 10%
Miniature size: 0805 footprint (1.0mm x 0.5mm)
Q: 35 Typical (at 800MHz)
S-parameter data available upon request
Packaged on tape and reel in 6,000 piece quantity
STANDARD PARTS SELECTION GUIDE
Unit: mm
Type
L (mm)
W (mm)
T (mm)
A (mm)
PTL2012
2.0
±0.2
1.25
±0.2
0.5
±0.15
0.3
±0.2
TYPE PTL2012-F
Part Numbering
* Add tolerance to part number: C=
±0.2nH, S=±0.3nH, G = ±2%, T=±3%
Testing Conditions: (1) L,Q: HP4291A (Test fixture HP16193A)
(2) SRF: HP8719D
(3) RDC: HP4338B
The PTL2012-F is a photolithographically etched single layer
ceramic chip inductor in a standard 0805 package. Toko's
proprietary design provides high SRF, excellent Q, and supe-
rior temperature stability. This inductor family is specifically
designed for critical tolerance inductor needs. The family
features Qs of well over 100 at 1.9GHz. More economical
than thin film or screened wirewounds, the PTL2012-F is an
ideal solution for tight tolerance requirements, such as VCO
circuits and GaAs matching.
PTL 2012 - F 1N0 C
Tolerance (C=
±0.2nH,
S=
±0.3nH, G=±2%, T=±3%)
Inductance
Material
Dimensions (LxW)
Type Name
L
W
T
A
Polarity Marking
* * (at 500MHz)
O
K
O
T
r
e
b
m
u
N
t
r
a
P
)
H
n
(
e
c
n
a
t
c
u
d
n
I
z
H
M
0
1
t
a
)
H
n
(
e
c
n
a
t
c
u
d
n
I
z
H
M
0
8
t
a
z
H
M
-
t
a
)
.
p
y
T
(
Q
F
R
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H
M
(
C
D
R
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.
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C
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)
.
x
a
M
(
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c
n
a
r
e
l
o
T)
H
n
(
Le
c
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a
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l
o
T0
0
10
0
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0
8
1
*
_
0
N
1
F
-
2
1
0
2
L
T
P0
.
1S
,
C0
.
1H
n
3
.
0
±1
16
30
5%
0
1
±
0
10
1
.
00
0
3
1
*
_
2
N
1
F
-
2
1
0
2
L
T
P2
.
1S
,
C2
.
1H
n
3
.
0
±0
19
25
4%
0
1
±
0
90
1
.
00
0
1
*
_
5
N
1
F
-
2
1
0
2
L
T
P5
.
1S
,
C5
.
1H
n
3
.
0
±8
8
20
4%
0
1
±
0
5
82
1
.
00
0
8
*
_
8
N
1
F
-
2
1
0
2
L
T
P8
.
1S
,
C7
.
1H
n
3
.
0
±9
9
20
4%
0
1
±
0
85
1
.
00
0
8
*
_
2
N
2
F
-
2
1
0
2
L
T
P2
.
2S
,
C1
.
2H
n
3
.
0
±0
12
30
5%
0
1
±
0
75
1
.
00
5
7
*
_
7
N
2
F
-
2
1
0
2
L
T
P7
.
2S
,
C6
.
2H
n
3
.
0
±0
14
37
4%
0
1
±
0
60
2
.
00
5
7
*
_
3
N
3
F
-
2
1
0
2
L
T
P3
.
3S
,
C2
.
3H
n
3
.
0
±0
16
39
4%
0
1
±
0
3
50
2
.
00
5
6
*
_
9
N
3
F
-
2
1
0
2
L
T
P9
.
3S
,
C8
.
3H
n
3
.
0
±0
14
36
4%
0
1
±
0
8
40
3
.
00
0
6
*
_
7
N
4
F
-
2
1
0
2
L
T
P7
.
4S
,
C6
.
4H
n
3
.
0
±0
17
34
5%
0
1
±
0
5
3
45
3
.
00
5
*
_
6
N
5
F
-
2
1
0
2
L
T
P6
.
5S
,
C5
.
5H
n
3
.
0
±0
17
32
5%
0
1
±
0
40
5
.
00
0
5
*
_
8
N
6
F
-
2
1
0
2
L
T
P8
.
6S
,
C7
.
6H
n
4
.
0
±0
18
34
5%
0
1
±
0
6
30
5
.
00
5
4
*
_
2
N
8
F
-
2
1
0
2
L
T
P2
.
8S
,
C1
.
8H
n
4
.
0
±0
14
37
4%
0
1
±
0
5
2
30
6
.
00
0
4
*
_
N
0
1
F
-
2
1
0
2
L
T
P0
1T
,
G0
.
0
1H
n
4
.
0
±1
18
31
4%
0
1
±
0
5
8
20
7
.
00
5
3
*
_
N
2
1
F
-
2
1
0
2
L
T
P2
1T
,
G2
.
2
1%
4
±2
18
38
3%
0
1
±
0
5
20
8
.
00
5
3
*
_
N
5
1
F
-
2
1
0
2
L
T
P5
1T
,
G5
.
5
1%
4
±2
17
32
3%
0
1
±
0
5
2
20
.
10
0
3
*
_
N
8
1
F
-
2
1
0
2
L
T
P8
1T
,
G1
.
9
1%
4
±2
17
37
2%
0
1
±
0
22
.
10
0
3
*
_
N
2
F
-
2
1
0
2
L
T
P2
2T
,
G8
.
3
2%
4
±2
15
3–
%
0
1
±
0
8
15
.
10
5
2
*
_
N
7
2
F
-
2
1
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2
L
T
P7
2T
,
G2
.
0
3%
5
±2
15
3–
%
0
1
±
0
5
6
18
.
10
0
2
*
_
N
3
F
-
2
1
0
2
L
T
P3
3T
,
G0
.
9
3%
5
±1
13
3–
%
0
1
±
0
5
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.
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0
2
*
_
N
9
3
F
-
2
1
0
2
L
T
P9
3T
,
G4
.
9
4%
5
±1
11
3–
%
0
1
±
0
5
3
10
.
30
8
1
*
_
N
7
4
F
-
2
1
0
2
L
T
P7
4T
,
G8
.
2
6%
5
±1
18
2–
%
0
1
±
0
8
1
10
.
40
3
1
*
_
N
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5
F
-
2
1
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2
L
T
P6
5T
,
G4
.
3
8%
5
±1
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2–
%
0
1
±
0
7
0
15
.
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1
*
_
N
8
6
F
-
2
1
0
2
L
T
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,
G*
*
2
.
0
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±1
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0
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.
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0
1
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2
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2
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,
G*
*
8
.
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±1
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%
0
1
±
0
90
.
60
9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTL2012-F10NT 1 ELEMENT, 0.01 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
PTV20B-E3/85A 21.2 V, 0.6 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-220AA
PTV33B-E3/84A 35 V, 0.6 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-220AA
PUMA2S1000M-35 32K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CHMA66
PUMA67E4001A-15E 128K X 32 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CQMA68
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTL2012-F1N2C 功能描述:INDUCTOR PHOTOLITHOGRAPHIC 1.2NH RoHS:否 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:PTL2012F 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz
PTL2012-F1N8C 功能描述:INDUCTOR PHOTOLITHOGRAPHIC 1.8NH RoHS:否 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:PTL2012F 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz
PTL2012-F22NT 功能描述:INDUCTOR PHOTOLITHOGRAPHIC 22NH RoHS:否 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:PTL2012F 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz
PTL2012-F27NT 功能描述:INDUCTOR PHOTOLITHOGRAPHIC 27NH RoHS:否 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:PTL2012F 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz
PTL2012-F2N2C 功能描述:INDUCTOR PHOTOLITHOGRAPHIC 2.2NH RoHS:否 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:PTL2012F 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz
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