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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PUB4702 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 中文描述： | 1 A, 25 V, 0.68 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, SIP-10 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | PUB4702 |
2
Power Transistor Arrays (F-MOS FETs)
PUB4702
Area of safe operation (ASO)
P
D
Ta
I
D
V
GS
R
DS(on)
I
D
| Y
fs
|
I
D
C
iss
, C
oss
, C
rss
V
DS
R
th(t)
t
0
2.0
0.5
1.5
1.0
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
=10V
Ta=25C
Drain current I
D
(A)
F
f
|
30
10
1
0.3
Drain to source voltage V
DS
(V)
3
0.03
10
1
0.1
0.3
3
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
DP
t=1ms
10ms
100ms
D
D
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
25
20
5
15
10
10
10
3
10
2
C
iss
f=1MHz
Ta=25C
C
oss
C
rss
I
R
i
,
o
,
r
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
5
4
1
3
2
0
2.00
1.50
0.50
1.25
1.75
1.00
0.25
0.75
V
=10V
Ta=25C
D
D
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
16
12
4
10
14
8
2
6
(1) T
=Ta
(2) With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(1)
(2)
(3)
Ambient temperature Ta (C)
A
D
0
5
4
1
Drain current I
D
(A)
3
2
0
700
600
500
300
400
200
100
25C
Ta=150C
85C
V
GS
=4V
D
D
)
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
–1
10
2
10
1
Notes: R
th
was measured at Ta=25C
and under natural convection.
Without heat sink
Time t (s)
T
t
(
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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