參數(shù)資料
型號(hào)： PXTA64
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Darlington transistor
中文描述： 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： PXTA64
1997 Apr 24
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP Darlington transistor
PXTA64
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
100
100
100
1.5
1.5
2
UNIT
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE
collector cut-off current
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
I
E
= 0; V
CB
=
30 V
V
BE
= 0; V
CE
=
30 V
I
C
= 0; V
BE
=
10 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V; see Fig.2
I
C
=
100 mA; V
CE
=
5 V; see Fig.2
I
=
100 mA; I
B
=
0.1 mA
I
C
=
100 mA; I
B
=
0.1 mA
I
C
=
100 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
100 mA; V
CE
=
5 V; f = 100 MHz
10000
20000
125
nA
nA
nA
V
CEsat
V
BEsat
V
BEon
f
T
collector-emitter saturation voltage
base-emitter saturation voltage
base-emitter on-state voltage
transition frequency
V
V
V
MHz
Fig.2 DC current gain; typical values.
handbook, full pagewidth
0
20000
40000
60000
80000
hFE
MGD836
1
10
IC (mA)
10
2
10
3
V
CE
=
2 V.
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