參數(shù)資料
型號(hào)： PZT3904
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： NPN Silicon Switching Transistor
中文描述： NPN硅開關(guān)晶體管
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： PZT3904
PZT3904
2
Nov-30-2001
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25°C, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage
I
C
= 1 mA,
I
B
= 0
Collector-base breakdown voltage
I
C
= 10 μA,
I
E
= 0
Emitter-base breakdown voltage
I
E
= 10 μA,
I
C
= 0
Collector cutoff current
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
Collector-emitter cutoff current
V
CE
= 30 V, -
V
BE
= 0.5 V
Base-emitter cutoff current
V
CE
= 30 V, -
V
BE
= 0.5
DC current gain 1)
I
C
= 0.1 mA,
V
CE
= 1 V
I
C
= 1 mA,
V
CE
= 1 V
I
C
= 10 mA,
V
CE
= 1 V
I
C
= 50 mA,
V
CE
= 1 V
I
C
= 100 mA,
V
CE
= 1 V
V
(BR)CEO
40
-
-
V
V
(BR)CBO
60
-
-
V
(BR)EBO
6
-
-
I
CBO
-
-
50
nA
I
CEV
-
-
50
I
BEV
-
-
50
h
FE
40
70
100
60
30
-
-
-
-
-
-
-
300
-
-
-
Collector-emitter saturation voltage1)
I
C
= 10 mA,
I
B
= 1 mA
I
C
= 50 mA,
I
B
= 5 mA
Base-emitter saturation voltage 1)
I
C
= 100 mA,
I
B
= 1 mA
I
C
= 50 mA,
I
B
= 5 mA
V
CEsat
-
-
-
-
0.2
0.3
V
V
BEsat
-
-
-
-
0.85
0.9
1) Pulse test: t
≤
=
300
μ
s, D = 2%
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