參數(shù)資料
型號： Q62702-F1177
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor)
中文描述： 硅N溝道MOSFET四極管（短通道高S晶體管/ ?品質(zhì)因數(shù)）
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 101K
代理商： Q62702-F1177
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q62702-F1189 NPN Silicon RF Transistor (For low-noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz. Linear broadband applications at collector currents up to 40 mA.)
Q62702-F1215 GaAs FET (N-channel dual-gate GaAs MES FET)
Q62702-F1218 NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers)
Q62702-F1219 NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers For linear broadband amplifiers)
Q62702-F1222 NPN Silicon RF Transistor (For application in TV-sat tuners)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
Q62702-F1189 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor (For low-noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz. Linear broadband applications at collector currents up to 40 mA.)
Q62702-F1215 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAs FET (N-channel dual-gate GaAs MES FET)
Q62702-F1218 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers)
Q62702-F1219 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers For linear broadband amplifiers)
Q62702-F1222 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor (For application in TV-sat tuners)
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