參數(shù)資料
型號(hào)： Q62702-F1628
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9V Integrated bias network)
中文描述： 硅N溝道MOSFET四極管（低噪聲，高增益控制輸入級(jí)高達(dá)1GHz工作電壓9伏偏置網(wǎng)絡(luò)集成）
文件頁(yè)數(shù)： 10/11頁(yè)
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代理商： Q62702-F1628
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q62702-F1645 NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA)
Q62702-F1665 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network)
Q62702-F1681 PNP Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 2GHz at collector currents up to 20mA)
Q62702-F1685 NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5mA to 12mA)
Q62702-F1771 Silicon N Channel MOSFET Tetrode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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Q62702F1656 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR R.F SOT363
Q62702-F1665 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network)
Q62702F1681 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR R.F SOT323
Q62702-F1681 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 2GHz at collector currents up to 20mA)
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