參數(shù)資料
型號： Q62702-F1681
廠商： SIEMENS AG
英文描述： PNP Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 2GHz at collector currents up to 20mA)
中文描述： 進(jìn)步黨硅射頻晶體管（對于寬帶放大器了集電極電流高達(dá)20mA至2GHz的）
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 101K
代理商： Q62702-F1681
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q62702-F1685 NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5mA to 12mA)
Q62702-F1771 Silicon N Channel MOSFET Tetrode
Q62702-F1772 Silicon N Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz)
Q62702-F1773 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V)
Q62702-F1774 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V)
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參數(shù)描述
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Q62702-F1772 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon N Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz)
Q62702-F1773 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V)
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