參數(shù)資料
型號： Q62702-F1775
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V)
中文描述： 硅N溝道MOSFET四極管（低噪聲，高增益控制輸入級高達1GHz工作電壓5V）
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： Q62702-F1775
BGC420
High Frequency Products
4
Edition A13, 05/99
Icc
mA
Vcc
V
Device Current
versus Rx and Temperature
Vcc=3V
6
5
4
3
2
1
0
7
8
1
2
3
Device Current
versus Voltage at Vc
Vcc=3V; Rx=82
W
mA
Icc
Rx
V
Vc
V
W
R x=56
R x=82
R x=120
R x=68 0
3
12
10
8
6
4
2
0
1
2
4
14
16
R x=33
Device Current
versus Device Voltage
=
-40°C
= +27
°C
= +85
°C
14
6
4
2
0
12
10
8
50
250
450
650
Icc
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q62702-F1776 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V)
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Q62702-F209 N-Channel junction field-Effect Transistors
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參數(shù)描述
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