參數(shù)資料
型號： Q62703-Q517
廠商： SIEMENS AG
英文描述： GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm
中文描述： 鎵鋁砷紅外光Lumineszenzdiode 880納米鎵鋁砷紅外發(fā)射器880納米
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 552K
代理商： Q62703-Q517
Semiconductor Group
7
LSG K370, LSP K370, LOP K370, LOG K370
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Dominantwellenlnge
λ
dom
=
f
(
T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Wellenlnge der Stahlung
λ
peak
=
f (T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Durchlaspannung
V
F
=
f
(
T
A
)
Forward voltage
I
F
= 15 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q62703-Q67 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
Q62703-Q70 Ceramic Chip Capacitors / MIL-PRF-55681; Capacitance [nom]: 820pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 100V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic; Temperature Coefficient: X7R (BX); Lead Style: Surface Mount Chip; Lead Dimensions: 0805; Termination: 100% Tin (Sn); Body Dimensions: 0.080" x 0.050" x 0.055"; Container: Bag; Features: MIL-PRF-55681: M Failure Rate
Q62703-Q71 GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays
Q62703-Q72 GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays
Q62703-Q73 GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays
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參數(shù)描述
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