參數(shù)資料
型號： Q62703-Q838
廠商： SIEMENS AG
英文描述： GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
中文描述： 砷化鎵紅外Lumineszenzdiode砷化鎵紅外發(fā)射器
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 552K
代理商： Q62703-Q838
Semiconductor Group
3
Grenzwerte
2)
Maximum Ratings
2)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LG
LP
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
40
30
mA
Stostrom
Surge current
t
≤
10
μ
s, D = 0.005
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25
°
C
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
I
FM
0.5
0.5
A
P
tot
140
100
mW
R
th JA
400
400
K/W
2)
Die angegebenen Grenzdaten gelten für den Chip, für den sie angegeben sind, unabhngig vom
Betriebszustand des anderen.
2)
The stated maximum ratings refer to the specified chip regardless of the other one’s operating status.
LSG K370, LSP K370, LOP K370, LOG K370
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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