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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67040-S4009-A2 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175∑C operating temperature) |
| 中文描述： | SIPMOS功率晶體管（N通道增強(qiáng)模式雪崩額定dv / dt的額定工作溫度175ΣC） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 121K |
| 代理商： | Q67040-S4009-A2 |
Semiconductor Group
7
30/Jan/1998
BUZ 103 S
SPP31N05
Drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
(
T
j
)
parameter:
I
D
= 22 A,
V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
180
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
0.11
0.13
R
DS (on)
typ
98%
Gate threshold voltage
V
GS(th)
= f (T
j
)
parameter:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
=50μA
-60
-20
20
60
100
140
V
200
T
j
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
4.4
V
5.0
V
GS(th)
min
typ
max
Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
= 0V,
f
= 1MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
V
DS
40
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
(
V
SD
)
parameter:
T
j
, t
p
= 80 μs
0
0.0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
F
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| Q67040-S4011-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated) |
| Q67040-S4012-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated) |
| Q67040-S4013-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated d v/d t rated) |
| Q67040-S4113-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor |
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