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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67050-T0017 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128 x 128 pixel format, LED or EL Backlight available |
| 中文描述： | SIPMOS小信號(hào)晶體管（N通道增強(qiáng)模式雪崩額定） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | Q67050-T0017 |
Semiconductor Group
2
May-30-1996
BSS 159
Preliminary data
Electrical Characteristics,
at T
j
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
GS
= -10 V, I
D
= 250 μA
Gate threshold voltage
V
DS
= 3 V, I
D
= 10 μA
Drain-source cutoff current
V
DS
= 50 V, V
GS
= -10 V, T
j
= 25 °C
V
DS
= 50 V, V
GS
= -10 V, T
j
= 125 °C
On-state drain current
V
GS
= 0 V, V
DS
= 10 V
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
Drain-Source on-resistance
V
GS
= 0 V, I
D
= 0.07 A
V
(BR)DSV
50
-
-
V
V
GS(th)
-3
-2.5
-1.5
I
DSV
-
-
-
-
-
1
μA
I
D(on)
70
200
-
mA
I
GSS
-
10
100
nA
R
DS(on)
-
4
8
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