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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q1103 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| 中文描述： | 4米× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器2k |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 36/53頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1103 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
35
12.3 Clock Suspension During Burst Write CAS Latency = 2
Bank A
DQM
Addr.
DQ
AP
BS
DAx0
Command
Write
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Clock
Suspend
Clock
Suspend
2 Cycles
1 Cycle
DAx1
CAx
RAx
RAx
DAx3
Clock
Suspend
3 Cycles
DAx2
SPT03916
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
CK2
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1104 | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-H3508 | 8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus |
| Q67100-H3509 | 8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus, Page Protection Mode |
| Q67100-3033 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-3035 | 256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1104 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1105 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1106 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1107 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| Q67100-Q1108 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
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