參數(shù)資料
型號(hào): Q67100-Q1127
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述: 3.3 4米× 4位江戶(hù)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù): 6/53頁(yè)
文件大?。?/td> 418K
代理商: Q67100-Q1127
HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
6
12.99
Block Diagram: 4 Bank
×
1M
×
16 SDRAM
Memory
Array
Bank 1
4096 x 256
x 16 Bit
Memory
Array
Bank 2
4096 x 256
x 16 Bit
Memory
Array
Bank 3
4096 x 256
x 16 Bit
SPB04120
Column Address
Counter
Row
Decoder
Memory
Array
Bank 0
4096 x 256
x 16 Bit
C
S
Row
Decoder
S
Row
Decoder
Row
Decoder
C
S
Row Address
Buffer
Column Address
Buffer
Refresh Counter
S
A0 - A11,
BA0, BA1
A0 - A7, AP,
BA0, BA1
Column Addresses
Row Addresses
Input Buffer
Output Buffer
DQ0 - DQ15
Control Logic &
Timing Generator
C
C
C
R
C
W
D
D
C
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q1128 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
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Q67101-H6788 ICs for Communications
Q67101-H6789 ICs for Communications
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參數(shù)描述
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