參數(shù)資料
型號(hào)： Q67100-Q1128
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
中文描述： 3.3 4米× 4位江戶動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 22/53頁(yè)
文件大小： 418K
代理商： Q67100-Q1128
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
21
Timing Diagrams
(cont’d)
18. Random Row Read ( Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
18.2 CAS Latency = 3
19. Random Row Write ( Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
19.2 CAS Latency = 3
20. Full Page Read Cycle
20.1 CAS Latency = 2
20.2 CAS Latency = 3
21. Full Page Write Cycle
21.1 CAS Latency = 2
21.2 CAS Latency = 3
22. Precharge Termination of a Burst
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PDF描述
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