參數(shù)資料
型號(hào): Q67100-Q1147
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 2M x 8-Bit Dynamic RAM
中文描述: 2米x 8位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù): 22/53頁(yè)
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代理商: Q67100-Q1147
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
21
Timing Diagrams
(cont’d)
18. Random Row Read ( Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
18.2 CAS Latency = 3
19. Random Row Write ( Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
19.2 CAS Latency = 3
20. Full Page Read Cycle
20.1 CAS Latency = 2
20.2 CAS Latency = 3
21. Full Page Write Cycle
21.1 CAS Latency = 2
21.2 CAS Latency = 3
22. Precharge Termination of a Burst
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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Q67100-Q1151 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh
Q67100-Q1152 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh
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Q67100-Q1186 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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