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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2006 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位動態(tài)隨機(jī)存儲器模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 22/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2006 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
21
Timing Diagrams
(cont’d)
18. Random Row Read ( Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
18.2 CAS Latency = 3
19. Random Row Write ( Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
19.2 CAS Latency = 3
20. Full Page Read Cycle
20.1 CAS Latency = 2
20.2 CAS Latency = 3
21. Full Page Write Cycle
21.1 CAS Latency = 2
21.2 CAS Latency = 3
22. Precharge Termination of a Burst
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2007 | 8M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2067 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2068 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2069 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2072 | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2007 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2008 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2009 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2010 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2012 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM |
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