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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q2012 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 100萬× 4位動(dòng)態(tài)RAM的低功耗100萬× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 48/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2012 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
47
19.2 CAS Latency = 3
DAx4
Addr.
DQM
DQ
AP
BS
Command
Bank A
Bank A
Activate
Command
Hi-Z
Write
DAx0
DAx1
DAx3
DAx2
RAx
RCD
t
RAx
CAx
DBx4
DBx0
Write
Command
Bank B
Bank B
Activate
Command
DAx6
DAx5
DAx7
Precharge
Command
Bank A
DBx2
DBx1
DBx3
CBx
RBx
RBx
WR
t
RP
t
Command
Bank A
Bank A
Activate
Command
Write
DBx5
DBx6
DAy0
DBx7
Precharge
Command
Bank B
SPT03928
DAy1
DAy2
DAy3
WR
RAy
t
CAy
RAy
CAS
RAS
CKE
CLK
WE
CS
T2
High
CK3
t
T0
T1
T4
T3
T5
T6
T15
T7
T8
T9
T10
T11 T12
T13
T14
Burst Length = 8, CAS Latency = 3
T19
T17
T16
T18
T21
T20
T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2014 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2015 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2016 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2017 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2018 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2014 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2015 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2016 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2017 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2018 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
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