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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2017 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 200萬× 32位動態(tài)隨機存儲器模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 25/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2017 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
24
4 2. Minimum Read to Write Interval
4. 3. Non-Minimum Read to Write Interval
the Write Command
Must be Hi-Z before
Activate
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
CLK
DQM
Command
NOP
T0
T1
Bank A
NOP
DQZ
t
T2
T3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
SPT03939
DIN A3
1 Clk Interval
Read A
Write A
T4
T5
NOP
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
NOP
CAS
latency = 3
t
, DQ’s
CK3
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
DOUT A0
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CLK
DQM
Command
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DOUT A0
DOUT A1
DIN B0
DIN B0
DIN B1
DIN B1
SPT03940
DIN B2
DIN B2
Read A
DQZ
t
NOP
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2018 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2019 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2021 | 256k x 16-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2035 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2037 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2018 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2019 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2021 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2035 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2037 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
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