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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2062 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 100萬× 32位動態(tài)隨機存儲器模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 45/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2062 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
44
18. Random Row Read (Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
Ax2
t
BS
Addr.
DQ
DQM
AP
Bank B
Activate
Command
Hi-Z
Command
Bank B
Read
RBx
RBx
RCD
t
CBx
Read
Command
Activate
Command
Bank B
Bank A
Command
Bank A
Bx2
Bx0
AC2
Bx1
Activate
Bx3
Bx4
RAx
RAx
Command
Bank B
Precharge
Bx6
Bx5
Bx7
Ax0
Ax1
CAx
RP
t
RBy
RBy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
High
t
CK2
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
SPT03925
Bank B
Command
Ax5
Ax3
Ax4
Read
Ax6
Ax7
CBy
By1
By0
Burst Length = 8, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2063 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2064 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2065 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2066 | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2149 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2063 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2064 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2065 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2066 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2067 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
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